Поддельный SSD Samsung 850 EVO 250GB
C твердотельными дисками SSD Samsung 850 EVO был знаком. Диски с хорошей производительностью и мне нравились, что при не стандартных вариация эксплуатации с ними не возникают не понятные ситуации и по этому считал, что приобрести их на весенней распродаже на Aliexpress для знакомы в подарок будет разумным вариантом. Но меня ожидали не приятные сюрпризы, так как один из присланных дисков, SSD Samsung 850 EVO 250Gb (MZ-75E250B), оказался поддельным.Наверно многие привыкли, что есть поддельные планшеты, телефоны и карты памяти Samsung, но вот ожидать получения поддельного SSD диск Samsung, да к тому же от магазина который имел многочисленные положительные отзывы и где демонстрировались картинки с проверкой подлинности, неприятно в двойне. Ну что же, есть, что есть. Рассмотрим.
Начнем наверно с упаковки. Не имея оригинальной коробки и не зная на что обратить внимание, вы наверно не сможете определить подделка это или нет. На текущий момент уже сложилось некое представление, как сразу определить подделку не вскрывая запечатанную коробку. Думаю это информация будет полезна и для тех кто покупает компьютерную технику на всяких барахолках, центрах про продаже товаров из Китая или малознакомых компьютерных магазинах.
Оригинальная коробка от Samsung 850 EVO, выдержана в чермных и в серых тонах, поддельная на лицевой имеет синеву и размытость в левом осветленном углу картинки диска. Если посмотреть под углом на картинку диска, то можно уже спокойно заметить приличный слой краски используемый при печати отсюда и неровность поверхности.
С другой стороны, на поддельном экземпляре выделяется круглая печать с 3D V-NAND, из-за толстого слоя краски, печать получилось рельефная и отчётливо ощущается каждая буква, иероглиф и точки, что можно наверно закрытыми глазами прочитать что там написано. На оригинальной коробке, это едва заметно. Второй момент связанный с этим элементом, в том что на оригинальной коробке надпись выше черты 3D V-NAND располагается полностью на темном фоне, тогда как на поддельном диске, часть иероглифов располагается на светлом фоне.
Для наглядности, отличия подделки и оригинала (с левой стороны подделка):
Если вскрыть коробку с поддельным диском Samsung 850 EVO 250GB и сравнить с содержимое с оригинальным то можно узнать для себя (если вы конечно не знали), что у крупных производителей техники, в том числе Samsung, любая упаковка, пакетик, в общем любой элемент тары и комплектации имеет свой идентификационный номер. Для подделки это лишнее.
Подключаем SSD диск к компьютеру, то что это подделка под SSD Samsung 850 EVO 250GB можно определить по трем вещам, первое, это длинный серийный номер, оригинальный содержит 14(15) символов, кстати серийный номер на коробке скорей всего будет отличаться от серийного номера, который вы увидите в системе. Второй момент это версия прошивки, на оригинальном SSD Samsung 850 EVO 250GB на текущий момент используется только EMT01B6Q версия firmware (доступно обновление EMT02B6Q). Третий момент, это количество атрибутов в S.M.A.R.T, значительно больше чем в оригинальном (15 атрибутов) диске.
S.M.A.R.T. оригинального Samsung 850 EVO
Ну и конечно при запуске фирменного ПО Samsung Magician, напротив серийного номер вы не увидите уведомление что диск подлинный. И не сможете воспользоваться некоторыми функции приложения, в том числе включить RAPID Mode для увеличения быстродействия SSD.
Если вскрыть поддельный SSD диск SSD Samsung 850 EVO 250GB, то можно будет обнаружить четырёхканальный контроллер SMI SM2256 и планарную TLC-памяти производства SK Hynix.
Как выглядит внутри оригинальный диск SSD Samsung 850 EVO
можно посмотреть в обзорах 3Dnews,СomputerBase, Anandtech, tweaktown вскрывать свой оригинальный SSD Samsung 850 EVO 120GB не буду из за наличия гарантии.
Кстати насчет гарантии. В своем обзоре «Фирмовый SSD Samsung 850 EVO» genesiskot_RC, вводит людей в заблуждение по поводу гарантии для дисков, который были куплены, за пределами Таможенного Союза (России, Белоруссии и Казахстана). Вот кусочек ответа на мое обращение, связанного с поддельным твердотельным диском Samsung.
«Гарантия будет действовать в странах таможенного союза, то есть купленный накопитель в Белоруссии будет обслуживаться по гарантии в Казахстане и России, и наоборот. Китай относится к другому региону и не входит в таможенный союз. Гарантия на SSD накопители не носит международный характер.»
Производительность поддельного Samsung 850 EVO 250Gb, на удивление не такая ужасная.
AS SSD Benchmark
Anvil’s storage utilities
CrystalDiskMark
usb flash benchmark
Samsung Magician
h3testw
Но, все равно не дотягивает до оригинального Samsung 850 EVO.
«-Наши диски не подделывают» 🙂
Об магазине AE-Samsung Store и рассмотрении диспута Aliexpress
Общение с продавцом было достаточное длинное и если сократить переписку с представителями магазине AE-Samsung Store, то она выглядит так: Вы продали поддельный диск Samsung 850 EVO 250GB, потому что диск не проходит проверку подлинности, не работает RAPID Mode, серийные номера не совпадают, низкая производительность и при вскрытии там вообще нет элементной база от Samsung. Мне нужен оригинальный диск. Ответ: Верь нам на слово и нашим бумажкам, мы авторизированный продавец и у нас 100% оригинальный продукт. Ты что не хочешь SSD диск, он ведь работает.
И это не смотря на то что, были загружены фото и видео материалы (начиная от распаковки посылки до вскрытия диска) и ссылок на спецификацию на официальном сайте Samsung и обзоры, где были фото разобранных оригинальных устройств и даже на просьбу арбитража предоставить ответ от компании, был предоставлен ответ от технической поддержкой на двух языках (русском и английском), хотя он был и обобщенный, но содержал ключевую информацию, что серийные номера, указанные на диске и то что показывают программы в системе не относятся к накопителю Samsung 850 EVO 250GB, а так же нелепые аргументы в диспуте от AE-Samsung Store.
Кстати, насчет бумажек, которые предъявляет AE-Samsung Store, что она авторизированный продавец, как рассказали знающие люди, логотип Samsung на синим фоне упрощен и уже не используется официально на всяких документах и бланках в компании Samsung.
Добавлено:
По совету людей в комментариях, обратился в чат в Службу поддержки и предоставив ссылку на облако со всеми доказательствами, что магазин AE-Samsung Store продал поддельный ssd диск. Спор не был пересмотрен системой, но деньги были возвращены.
mysku.ru
быстрый, долговечный, массовый / Накопители
Компания Samsung за несколько последних лет смогла не только завоевать звание лидера рынка потребительских SSD, но и стать на этом рынке самым главным новатором. Первыми твердотельными накопителями, которыми Samsung смогла привлечь серьёзное внимание к собственным продуктам, стали представители вышедшей в 2011 году серии SSD 830. А уже через год, с появлением 840 Pro, накопители Samsung стали своеобразным «золотым стандартом» — лучшими SATA SSD для высокопроизводительных персональных компьютеров верхнего ценового сегмента. Попутно Samsung боролась и за массового пользователя: для этой категории потребителей были выпущены специальные накопители серий 840 и 840 EVO. Используя свои огромные производственные и инженерные возможности, в этих накопителях компания Samsung смогла первой на рынке внедрить трёхбитовую TLC NAND, чем добилась существенного снижения себестоимости накопителей. Вертикальная интегрированность самсунговского производства SSD — отличный козырь при внедрении любых новых технологий, и с применением в потребительских твердотельных накопителях TLC-памяти компания смогла опередить ближайших конкурентов как минимум на пару лет.
Инновации продолжаются и по сей день. Огромный скачок вперёд Samsung сделала в 2013 году, когда смогла начать серийный выпуск трёхмерной флеш-памяти, 3D V-NAND. Трёхмерная память легко решает проблему масштабируемости кристаллов флеш-памяти и дальнейшего наращивания плотности хранения данных в них. Очевидно, что традиционный экстенсивный путь, предполагающий удешевление производства флеш-памяти за счёт внедрения новых технологических процессов с более тонкими нормами, в ближайшем будущем натолкнётся на серьёзные фундаментальные препятствия. Освоив же технологию выпуска многослойных кристаллов флеш-памяти, Samsung получила огромный простор для дальнейшего беспрепятственного движения вперёд. Выпущенный в середине прошлого года SSD 850 Pro, ставший первым серийным флеш-накопителем на базе 32-слойной MLC 3D V-NAND, продемонстрировал огромный потенциал новой технологии. Выход структуры флеш-памяти в третье измерение ознаменовался заметным увеличением производительности и существенным ростом надёжности, в результате чего Samsung 850 Pro получил звание одного из лучших твердотельных SATA-накопителей современности для энтузиастов.
Однако у Samsung 850 Pro всё-таки есть один неприятный, с точки зрения обычного пользователя, изъян. Этот накопитель, как и всякий флагманский продукт, имеет достаточно высокую цену. Поэтому вслед за этой моделью Samsung, которую в её стремительном движении по пути прогресса не может остановить уже, похоже, ничто, выпустила другой SSD — 850 EVO. Этот накопитель базируется ещё на одной разновидности принципиально новой трёхмерной флеш-памяти, которая объединяет передовую многослойную 3D V-NAND-структуру с удешевлённой архитектурой TLC NAND. И в результате в лице Samsung 850 EVO вырисовывается массовый продукт, претендующий на то, чтобы стать непревзойдённым вариантом по соотношению цены, производительности и надёжности. По крайней мере в теории всё выглядит именно так.
Для того же, чтобы проверить эту красивую легенду, мы взяли на тесты пару экземпляров Samsung 850 EVO. Эти накопители только-только появляются в продаже, и поэтому результаты их тестов вызывают огромный практический интерес.
⇡#Технические характеристики
Несмотря на все нововведения, новый твердотельный накопитель Samsung 850 EVO — прямой наследник предыдущей массовой модели, 840 EVO. Ключевыми компонентами, обеспечивающими хорошие потребительские характеристики 840 EVO, выступали TLC-память, собственный контроллер Samsung и технология TurboWrite. В новом SSD 850 EVO набор почти такой же, просто поновее: на место TLC NAND пришла трёхмерная TLC V-NAND, вместо контроллера Samsung MEX используется обновлённый контроллер Samsung MGX, никуда не делась и технология TurboWrite, в описании которой добавилось прилагательное «усовершенствованная». Взглянем на весь этот набор по порядку.
Естественно, самое главное и самое интересное в Samsung 850 EVO — это трёхмерная трёхбитовая память. И о 3D NAND, и о TLC NAND мы уже говорили ранее в соответствующих обзорах. Но теперь обе эти технологии слились воедино, и, надо сказать, получилось у них это очень органично. У обычной планарной TLC-памяти есть две проблемы, уходящие корнями в сам принцип её функционирования: низкая скорость и низкая надёжность. Связано это с тем, что ячейки TLC NAND для хранения трёх бит данных должны различать восемь уровней напряжения, в то время как, например, в MLC NAND используется лишь четыре уровня. Поэтому программирование и снятие уровня напряжения в TLC NAND занимает больше времени, а надёжность хранения сильно страдает от износа полупроводниковой структуры ячейки: даже небольшое утончение слоя диэлектрика может приводить к утечке заряда с плавающего затвора. Более того, с внедрением новых, более «тонких» техпроцессов проблема выносливости ячеек TLC NAND только усугубляется, так как компоненты каждой ячейки приобретают меньшие геометрические размеры изначально.
Ключевая же идея 3D V-NAND заключается в том, что более плотного хранения информации в кристаллах флеш-памяти можно добиться не за счёт миниатюризации геометрии техпроцесса, а путём расположения ячеек в трёх плоскостях. Например, применяемая в Samsung 850 Pro трёхмерная MLC NAND имеет 32 слоя, и это позволяет при её производстве использовать 40-нм техпроцесс, но при этом всё равно получать полупроводниковые кристаллы с меньшей площадью, нежели у планарной MLC NAND, выпущенной по 16-нм нормам. Очевидно, что если аналогичный подход применить к TLC NAND, то проблема с надёжностью и отчасти со скоростью работы может быть легко решена. «Кондовые» 40-нм ячейки более устойчивы к износу, а их плавающий затвор может удерживать гораздо большее число электронов, обеспечивая уверенную вариативность при программировании и распознавании логических уровней. Иными словами, скрещивание технологий TLC и 3D V-NAND не меняет основных принципов функционирования трёхбитовой памяти, но попутное укрупнение ячеек приводит к их лучшей стабильности. Samsung, в частности, утверждает, что вероятность возникновения ошибок при снятии данных с её TLC V-NAND, произведённой по 40-нм нормам, примерно на порядок ниже, чем у планарной TLC-памяти.
Есть выигрыш и в скорости программирования. Планарная TLC NAND при записи данных требует подачи на управляющий затвор ячеек нескольких последовательных импульсов и многочисленных промежуточных проверок правильности программирования. С трёхмерной же TLC V-NAND число итераций удаётся сократить, и продолжительность операций записи снижается примерно на 50 процентов. Похожим образом сокращается и цикл чтения.
Как вы наверняка помните, полупроводниковые кристаллы современной 32-слойной MLC V-NAND, производимые по технологическому процессу с нормами 40 нм и применяемые в Samsung 850 Pro, имеют ёмкость 86 Гбит. Для Samsung 850 EVO память производится точно по такой же технологии, но, благодаря записи в каждую ячейку не двух, а трёх бит информации, ёмкость кристаллов возрастает в полтора раза — до 128 Гбит. При этом такие кристаллы имеют примерно вдвое меньшую площадь по сравнению с планарными 128-гигабитными кристаллами TLC NAND, которые Samsung производит по 19-нм техпроцессу. И это — прекрасная иллюстрация эффективности дизайна TLC V-NAND: с внедрением в неё трёхмерности Samsung не только добивается значительного улучшения характеристик скорости и надёжности дешёвой трёхбитовой памяти, но и дополнительно снижает свои издержки на её производство.
Учитывая, что 850 EVO в конечном итоге должен стать недорогим накопителем, Samsung не стала устанавливать в него и свой лучший контроллер MEX, который при использовании SATA-интерфейса позволяет получить максимальную скорость работы. Специально для модели 850 EVO был разработан новый упрощённый и более энергоэффективный контроллер MGX, который имеет лишь два, а не три ядра ARM Cortex-R4. Однако он производится по более современному техпроцессу, что позволило производителю поднять его частоту. В результате потеря в пиковой производительности составила всего лишь порядка 2-5 процентов, что вряд ли можно назвать серьёзной утратой. Более того, в терабайтной версии 850 EVO, где для обслуживания таблицы трансляции адресов действительно требуется хорошая производительность, используется старый контроллер MEX.
В результате линейка Samsung 850 EVO получила следующий набор характеристик:
| Производитель | Samsung | |||
| Серия | 850 EVO | |||
| Модельный номер | MZ-75E120 | MZ-75E250 | MZ-75E500 | MZ-75E1T0 |
| Форм-фактор | 2,5 дюйма | |||
| Интерфейс | SATA 6 Гбит/с | |||
| Ёмкость | 120 Гбайт | 250 Гбайт | 500 Гбайт | 1 Тбайт |
| Конфигурация | ||||
| Микросхемы памяти: тип, интерфейс, техпроцесс, производитель | Samsung 128 Гбит 40-нм TLC V-NAND | |||
| Микросхемы памяти: число / количество NAND-устройств в чипе | 1/8 | 2/8 | 4/8 | 8/8 |
| Контроллер | Samsung MGX | Samsung MEX | ||
| Буфер: тип, объем | LPDDR2-1066, 256 Мбайт | LPDDR2-1066, 512 Мбайт | LPDDR2-1066, 512 Мбайт | LPDDR2-1066, 1 Гбайт |
| Производительность | ||||
| Макс. устойчивая скорость последовательного чтения | 540 Мбайт/с | 540 Мбайт/с | 540 Мбайт/с | 540 Мбайт/с |
| Макс. устойчивая скорость последовательной записи | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с |
| Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт) | 94000 IOPS | 97000 IOPS | 98000 IOPS | 98000 IOPS |
| Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт) | 88000 IOPS | 88000 IOPS | 90000 IOPS | 90000 IOPS |
| Физические характеристики | ||||
| Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись | 0,2 Вт/3,7-4,4 Вт | |||
| MTBF (среднее время наработки на отказ) | 1,5 млн ч | |||
| Ресурс записи | 75 Тбайт | 150 Тбайт | ||
| Габаритные размеры: Д × В × Г | 100 × 69,85 × 6,8 мм | |||
| Масса | 66 г | |||
| Гарантийный срок | 5 лет | |||
| Рекомендованная цена | $90 | $135 | $240 | $470 |
В этой таблице прекрасно всё, ну или почти всё, за исключением стоимости. Samsung решила пока не ввязываться в ценовую войну с производителями дешёвых накопителей, а выступать со своей многообещающей новинкой в среднем рыночном сегменте. Впрочем, на то у неё есть все основания: всё-таки 850 EVO — достаточно производительный и надёжный SSD для того, чтобы его хорошо покупали и не по совсем бросовой цене.
Говоря о достоинствах Samsung 850 EVO, начать, пожалуй, стоит с того, что производитель даёт на этот флеш-привод пятилетнюю гарантию, что соответствует гарантийному сроку многих флагманских моделей. Более длительной гарантией обладают лишь Samsung 850 Pro и SanDisk Extreme Pro. И это значит, что Samsung ожидает от своей TLC V-NAND ресурса как минимум не хуже, чем у современной планарной MLC NAND. Об этом же говорят и заявленные показатели выносливости: для младших моделей разрешена запись по 41 Гбайт в день, а для старших — по 82 Гбайт ежедневно. То есть надёжность у Samsung 850 EVO явно выше среднего, а модификации на 500 Гбайт и 1 Тбайт и вовсе обладают таким же ресурсом, как и Samsung 850 Pro. Иными словами, с точки зрения заявленного ресурса Samsung 850 EVO куда ближе к дорогим, чем к бюджетным моделям.
Примерно то же можно сказать и о заявленных скоростных характеристиках. Отставание Samsung 850 EVO от старшего собрата 850 Pro, который мы считаем самым быстрым SSD сегодняшнего дня, чисто символическое, причём проявляется оно исключительно на операциях чтения. Похоже, что Samsung 850 EVO сможет и здесь конкурировать с флагманскими SATA SSD других производителей. Правда, следует понимать, что высокие скорости, заявленные в спецификациях, учитывают работу технологии TurboWrite, использующей для ускорения операций псевдо-SLC-кеш. И числа в таблице — это скорость работы кеша, то есть при длительных операциях с большими объёмами данных нас будет ожидать совсем иное быстродействие. Впрочем, размер быстрого кеша у Samsung 850 EVO не так уж и мал. Для моделей на 120 и 250 Гбайт его объём установлен на отметке 3 Гбайт, для модификации на 500 Гбайт — 6 Гбайт, а для терабайтного накопителя — 12 Гбайт. При записи данных на накопитель в первую очередь всегда заполняется этот скоростной буфер, а во время простоя данные из него переносятся в более медленную TLC-память. Таким образом, в обычной повседневной работе никакого падения производительности, скорее всего, заметно не будет.
Реализованы в Samsung 850 EVO и все остальные атрибуты добротного SSD. В нём есть поддержка энергосберегающего состояния DevSleep, а также аппаратный движок шифрования, который совместим со стандартами TCG Opal 2.0 и IEEE-1667 и может управляться из среды операционной системы, например через стандартное средство BitLocker.
Остаётся лишь напомнить, что твердотельные накопители компании Samsung снабжаются одной из лучших сервисных утилит Magican, версия которой к настоящему моменту доросла до 4.5. В этой утилите, помимо обычных возможностей для такого рода программ, есть и поддержка технологии RAPID 2.1 — программного кеширования операций ввода-вывода в оперативной памяти компьютера. На данном этапе развития эта технология получила возможность задействовать под кеш до 4 Гбайт памяти. Впрочем, мы всё ещё не рекомендуем пользоваться подобными функциями, так как они не гарантируют сохранности пользовательских данных при системных сбоях или внезапных отключениях питания.
⇡#Внешний вид и внутреннее устройство
Samsung 850 EVO основывается на контроллерах с восьмиканальной архитектурой, а TLC V-NAND, устанавливаемая в этих накопителях, имеет ядра ёмкостью 128 Гбит. Это означает, что достаточной для обеспечения максимальной производительности степенью внутреннего параллелизма обладают старшие модификации SSD ёмкостью 500 Гбайт и 1 Тбайт. Именно поэтому в нашем сегодняшнем тестировании принимают участие сразу два экземпляра новинки — объёмом 250 и 500 Гбайт.
Вполне естественно, что модификации Samsung 850 EVO разной ёмкости снаружи выглядят совершенно одинаково.
 |  |
Для этого SSD используется точно такой же тонкостенный 2,5-дюймовый алюминиевый корпус высотой 7 мм, как во флагманской модели, 850 Pro. Внешний окрас — чёрный, на лицевой поверхности краской нанесён логотип Samsung и серый квадрат, в том или ином виде присутствующий на всех SSD компании такого же форм-фактора. На оборотной стороне корпуса имеется этикетка, из которой можно почерпнуть информацию о названии и ёмкости модели, её артикуле и серийном номере.
А вот внутренности Samsung 850 EVO смотрятся куда необычнее. Например, при вскрытии 250-гигабайтной модели мы были очень удивлены размерами печатной платы и тем, что на ней присутствует всего четыре микросхемы.
 |  |
Внутри 500-гигабайтной модели использована плата чуть большего размера, однако ей всё равно очень далеко до того, чтобы заполнить всё пространство внутри корпуса.
 |  |
Современные технологические процессы, которые использует Samsung при производстве начинки своих SSD, позволяют обходиться без каких-либо теплопроводящих прокладок или иных средств для отвода тепла от микросхем на поверхность корпуса. Не стали корейцы раскошеливаться и на реализацию усиленной схемы питания, позволяющей контроллеру корректно завершать работу с таблицей трансляции адресов при внезапных отключениях.
Что же касается номенклатуры используемых чипов, то в обоих случаях мы видим одинаковые базовые контроллеры Samsung MGX и одинаковые чипы флеш-памяти, каждый из которых имеет ёмкость 128 Гбайт и содержит внутри себя по восемь 16-гигабайтных кристаллов TLC V-NAND, произведённых по 40-нм техпроцессу. Не различаются у SSD ёмкостью 256 и 512 Гбайт и микросхемы оперативной памяти. В обоих случаях это LPDDR2 SDRAM объёмом 512 Мбайт.
Заметьте, никаких отдельных микросхем SLC NAND, обеспечивающих работу кеширующей технологии TurboWrite, внутри Samsung 850 EVO не предусмотрено. Вместо этого роль SLC-буфера играет небольшая часть ячеек TLC-памяти, выделенных из общего массива. Именно поэтому накопители серии 850 EVO имеют столь нетипичную линейку объёмов, кратных 250 Гбайт (за исключением младшей версии). Примерно 3,5 процента от общей вместимости флеш-памяти отводится на псевдо-SLC-кеширование, и ещё порядка 5,5 процента — на подменный фонд и работу технологий выравнивания износа и сборки мусора.
Ну и в заключение внешнего знакомства с Samsung 850 EVO — о комплекте поставки. Вернее, о его отсутствии: в коробке с SSD, кроме собственно твердотельного накопителя, вы не обнаружите ничего полезного, даже салазок для установки в 3,5-дюймовый отсек корпуса. В этом отношении рассматриваемая модель подобна всем остальным SSD данного производителя. Переходим к тестированию накопителя.
Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
3dnews.ru
Поддельный SSD Samsung 850 EVO 250GB
C твердотельными дисками SSD Samsung 850 EVO был знаком. Диски с хорошей производительностью и мне нравились, что при не стандартных вариация эксплуатации с ними не возникают не понятные ситуации и по этому считал, что приобрести их на весенней распродаже на Aliexpress для знакомы в подарок будет разумным вариантом. Но меня ожидали не приятные сюрпризы, так как один из присланных дисков, SSD Samsung 850 EVO 250Gb (MZ-75E250B), оказался поддельным.Наверно многие привыкли, что есть поддельные планшеты, телефоны и карты памяти Samsung, но вот ожидать получения поддельного SSD диск Samsung, да к тому же от магазина который имел многочисленные положительные отзывы и где демонстрировались картинки с проверкой подлинности, неприятно в двойне. Ну что же, есть, что есть. Рассмотрим.
Начнем наверно с упаковки. Не имея оригинальной коробки и не зная на что обратить внимание, вы наверно не сможете определить подделка это или нет. На текущий момент уже сложилось некое представление, как сразу определить подделку не вскрывая запечатанную коробку. Думаю это информация будет полезна и для тех кто покупает компьютерную технику на всяких барахолках, центрах про продаже товаров из Китая или малознакомых компьютерных магазинах.
Оригинальная коробка от Samsung 850 EVO, выдержана в чермных и в серых тонах, поддельная на лицевой имеет синеву и размытость в левом осветленном углу картинки диска. Если посмотреть под углом на картинку диска, то можно уже спокойно заметить приличный слой краски используемый при печати отсюда и неровность поверхности.
С другой стороны, на поддельном экземпляре выделяется круглая печать с 3D V-NAND, из-за толстого слоя краски, печать получилось рельефная и отчётливо ощущается каждая буква, иероглиф и точки, что можно наверно закрытыми глазами прочитать что там написано. На оригинальной коробке, это едва заметно. Второй момент связанный с этим элементом, в том что на оригинальной коробке надпись выше черты 3D V-NAND располагается полностью на темном фоне, тогда как на поддельном диске, часть иероглифов располагается на светлом фоне.
Для наглядности, отличия подделки и оригинала (с левой стороны
mysku.me
Samsung 850 EVO 250 Гб. Самый лучший SSD
Не думал, что я когда либо это скажу, но это лучший SSD из всех, что я видел, несмотря на то, что он TLC. Данный SSD показывает высокую скорость чтения и записи хоть больших файлов, хоть кучи маленьких. Его скороcть не зависит от его заполнения и всегда стабильно держится. Вы можете мне конечно же возразить — «Ты просто мало SSD повидал….. вот как сейчас помню был один он круче во сто раз… тока не помню какой и когда» А мы живём сейчас, а сейчас это лучший SSD. Почему? Сейчас объясню, ведь практически каждая его особенность это его преимущество.
Но начнём пожалуй с характеристик.
Объём SSD: 250 Гб
Тип памяти: TLC V-NAND
Ресурс SSD: 75 TWB
Максимальная скорость чтения: 540 Мб\с
Максимальная скорость записи: 520 Мб\с
Показатель скорости случайного чтения (IOmeter): 97000 IOPS при включенном режиме RAPID
Контроллер: Samsung MGX (2 ядра Cortex-R4)
ОЗУ контроллера: 512 Мб LPDDR3
Высокоскоростной КЭШ обработки данных: 3 Гб
Форм-фактор: 2,5
Гарантия: 5 лет
Первое преимущество — высокая скорость чтения и записи, которая не зависит от заполнения самого SSD.
Несмотря на то, что используется не топовый контроллер Samsung MEX (3 ядра Cortex), а Samsung MGX (2 ядра Cortex-R4), но, т.к. его ядра работают с немного большей частотой, чем трёхъядерная версия в Samsung MEX, его производительности вполне достаточно для поддержания быстрой работы SSD объёмом 250 Гб.
Второе преимущество — невероятно стабильная скорость записи.
Как видно на скринах, скорость не падает, на сколько SSD не заполнена, так же при копировании большого объёма информации скорость со временем тоже не падает. Большая редкость для бюджетных ССД. Прекрасная работа.
Третье преимущество — очень высокий показатель скорости случайного чтения (те самые Ваши любимые IOPS’ы).
Если судить по сайту SAMSUNG, данный SSD на 250 Гб показывает значение 97 000 IOPS в режиме RAPID. К сожалению уменя AMD RYZEN 5 1600 и материнская плата на чипсете X370, что не даёт возможность использовать технологию RAPID (Использование оперативной памяти в качестве своеобразного КЭШа для SSD). Но как по мне это не очень надёжная технология и оперативку использовать не каждый захочет для подобных целей (может отколоть и 4 Гб. Представьте если у Вас всего 8 чем это обернётся?). К тому-же при непредвиденном завершении работы или сбое питания компьютера очень высок риск потери данных. Стоит ли это того или нет решать Вам. Показатель без технологии RAPID тоже очень высок 60 000 IOPS.
Для сравнения вот некогда неплохой SSD KINGSTON KC300
Правда он заполнен на 90% и поэтому скорость записи просто ужасна. Вот она особенность старых контроллеров SandForce. На самсунге повторюсь такого не наблюдается.
Четвёртое преимущество — оптимальный контроллер для работы с данным TLC V-NAND SSD.
На контроллере в данной модели действительно сэкономили. Но неужели это плохо, если он прекрасно справляется со своей работой? Да это не топовый MEX, но в нём здесь нет необходимости. Как Вы видите из тестов всё отлично работает. А если не видно разницы зачем платить больше…… эм то есть зачем контроллер лучше. Более дешёвый контроллер — более низкая цена и тем самым более конкурентноспособный продукт. Если бы это был M.2 SSD тут удешевление могло сказаться на производительности, но это SATA SSD и его скорость приближается к пределу скоростных возможностей SATA III.
Контроллер в SSD это не просто вычислительная мощь, а программно-аппаратный компонент SSD, призванный оперативно корректировать ошибки, возникающие в ячейках памяти. В TL-ячейках это особенно актуально, поэтому микрокод контроллера и своевременное обновление прошивки (если оно конечно же есть) имеет важное значение.
Немного напрягу Вас теорией, описывающей различные технологии компоновки ячеек памяти и их работу.
SLC (SINGLE LEVEL CELL) — ячейка имеющая только два состояния — 0 и 1 и только два значения напряжения. В результате непревзойдённые значения скорости энергоэффективности и конечно же надёжности, но насколько она надёжна, настолько и дорога, поэтому их не используют в SSD для массового производства.
MLC (MULTI LEVEL CELL) — ячейка, имеющая многоуровневую структуру, имеет четыре логических состояния (00, 01, 10, 11) и соответственно 4 разных значения напряжения, что уменьшает её производительность и увеличивает вероятность возникновения ошибок памяти с которыми придётся разбираться контроллеру SSD.
И наконец TLC (TRIPLE LEVEL CELL) — ячейка, имеющая целых восемь логических состояний (000, 001, 010, 100, 101, 110, 011, 111) и соответственно трёхбитовое представление состояния ячейки. Всё это способствует возникновению ошибок в памяти, скажу больше, по количеству возникновения ошибок TLC ПОКАЗЫВАЕТ НАИХУДШИЙ РЕЗУЛЬТАТ СРЕДИ ВСЕХ. На кого ложится бремя коррекции этих ошибок? Правильно на контроллер. И вот тут SAMSUNG MGX показал себя с лучшей стороны. Как видно из тестов — контроллер полностью справляется со своей задачей не давая часто возникающим ошибам (по вине tlc ячеек) влиять на скоростные характеристики SSD. Так бывает далеко не всегда и поэтому я так не любил TLC SSD. Пока не встретился с этим. Полная победа контроллера над недостатками дешёвой технологии, поэтому я и назвал его оптимальным контроллером для TLC V-NAND.
Главное преимущество, которое при наличии предыдущих убивает всю конкуренцию среди TLC-накопителей — это низкая цена.
Рассмотрим наклейку на задней стенке SSD. Например дата производства и серийный номер имеют значение. В серийном номере зашифровано поколение SSD и соответственно какая установлена в нём память. Узнать установлено ли в Вашем SSD новое поколение памяти можно по первым трём символам в серийном номере. Если у Вас как и у меня S3N (или номер начинающийся со значений, появившихся после S3L (буквы возрастают в алфавитном порядке), то у Вас новая 64 — слойная TLC V-NAND память, ранее использовалась 48 — слойная TLC V-NAND память.
Вывод
Сейчас диски с TLC, а тем более TLC V-NAND технологиями компоновки ячеек памяти не так тормознуты и ненадёжны, как например ещё года 3-4 назад. Уже научились делать очень быстрые и намного более надёжные SSD, с прекрасными контроллерами, которые оперативно корректируют ошибки накапливающиеся в ячейках памяти чем, опять-же повторюсь, 3-4 года назад. Так что теперь без каких либо опасений можно брать ссд TLC V-NAND, особенно данную модель, которая показывает прекрасные результаты по части скорости и надежности.
Надеюсь мы помогли Вам в выборе. Это был ПроОбзор — просто о сложном, интересно обо всём.
Поделиться новостью в соцсетях « Предыдущая запись Следующая запись »
xn--90amtacbhf.xn--p1ai
Обзор твердотельных накопителей Samsung 850 Evo, 860 Evo и 860 Pro
Методика тестирования накопителей образца 2016 года
На начало этого года нами было запланировано небольшое обновление тестовой методики, однако его решено было чуть-чуть отложить, чтобы можно было сравнить еще три интересных накопителя со всеми ранее изученными. Что в них такого интересного? В первую очередь — производитель и его история.
В отличие от многих других компаний, работающих на данном рынке, компания Samsung стояла у его истоков (если можно так выразиться), причем ее всегда «интересовали» устройства высокого класса. В частности, именно Samsung 64 GB SSD SATA-2 около десяти лет назад был одним из немногих конкурентов Intel X25-M на момент выхода последнего, причем в ряде сценариев он тогда так и остался непревзойденным. Конечно, это его не спасло: как и у всех устройств «первого поколения», высокие скоростные характеристики достигались благодаря использованию быстрой, но очень дорогой SLC-памяти. X25-M же продемонстрировал другой способ повышения производительности: сочетание [относительно] недорогого MLC-флэша с интеллектуальным контроллером. В итоге получилось быстрое устройство ценой в $600 за 80 ГБ — на что Samsung и остальные могли ответить разве что моделью с 64 ГБ за $1000.
Выводы компания сделала правильные, сразу же занявшись разработкой контроллеров. Первое время они продавались многим производителям, но звезд с неба не хватали. С другой стороны, это позволило накопить необходимый опыт и окончательно определиться с направлениями дальнейшего развития. Приняты были два серьезных решения: во-первых, продать бизнес накопителей на жестких магнитных дисках (чтоб не мешал), а во-вторых, выпускать твердотельные накопители полностью собственной разработки, причем не отдавая компоненты «на сторону». Первое на тот момент казалось смелым, но рискованным шагом: все-таки винчестеры имели очень устойчивый спрос благодаря ценам, так что напрямую флэш-память с ними конкурировать никак не могла. Однако с т. з. крупнейшего производителя полупроводников логичным было как раз поработать над тем, чтоб смогла 🙂 Что компания и делала последующие годы, тем более имея в рукаве такой серьезный козырь, как самостоятельное производство всего необходимого, а также первое место по объемам производства конкретно флэш-памяти. В итоге контроллеры всегда можно было «подогнать» под память, а память — под контроллеры, да и от рыночной конъюнктуры Samsung зависел гораздо слабее, чем большинство производителей — скорее, компания ее определяла. Многие перспективные направления тоже были правильно просчитаны заранее. В частности, более четырех лет назад мы уже знакомились с Samsung SSD 840 Evo — по сути, второй попыткой компании (первой был «обычный» 840) создать быстрый и надежный накопитель на базе TLC-памяти, которую для этого тогда не использовал никто. И даже не пытался. Нельзя сказать, что обошлось совсем без шероховатостей, но ценный опыт был накоплен. В частности, тогда же была опробована технология SLC-кэширования.
Казалось бы, что тут особенного? Сейчас TLC-память уже привычна — ее используют все. И SLC-кэш тоже. Но это было, напомним, в 2013 году. И примерно тогда же в Samsung было решено заняться «трехмерной» флэш-памятью, поскольку традиционный подход с сохранением «обычных» ячеек и уменьшением норм производства начал постепенно заходить в тупик. Впрочем, о переходе на 3D NAND в те годы заговорили все производители, поскольку все находились в сходном положении. Но от разговоров до внедрения всегда проходит достаточно много времени — кто-то преодолевает этот путь быстрее, кто-то медленнее. Samsung удалось опередить всех: уже в середине 2014 года появились первые коммерческие продукты, использующие V-NAND (как ее назвал разработчик). Первое время компания конфигурировала эту память исключительно как MLC, для работы в более щадящем режиме, однако с 2015 года начало́ увеличиваться количество кристаллов, способных надежно работать и с восемью уровнями, что позволяет хранить три бита информации. Отметим, кстати, что Samsung предпочитает не использовать аббревиатуру «TLC», говоря о «3-bit MLC». В принципе, это вполне корректно, хоть некоторых и может сбивать с толку. Но большинству покупателей важно, все-таки, не как что называется, а как оно работает. И сегодня мы это изучим на примере трех продуктов Samsung — двух совсем новых и одного тоже почти нового.
Samsung V-NAND SSD 850 Evo 500 ГБ
Первые накопители линейки с таким названием появились, как уже было сказано, в 2015 году. В принципе, они были сильно похожи на 840 Evo, но использовали вместо планарных кристаллов по 128 Гбит 32-слойную 3D той же емкости. Чуть похудел ассортимент: 120 / 250 / 500 / 1000 ГБ — без интересной промежуточной модели емкостью 750 ГБ. В старшей модели остался даже тот же трехъядерный контроллер MEX, что и в 840 Evo, а остальные получили двухъядерные, но усовершенствованные MGX, работающие в паре с памятью LPDDR2 с частотой 1066 МГц и емкостью до 1 ГБ. При этом накопитель (как и предшественник) позиционировался как конкурент устройствам среднего уровня — в то время в основном использующим MLC-память. Впрочем, даже таковые зачастую имели лишь трех-, а не пятилетнюю гарантию, ставшую визитной карточкой семейства Evo. В том числе, и появившейся чуть позже модификации на 2 ТБ — что по тем временам было очень серьезным значением, так что потребовало и появления специального контроллера MHX (заодно и DRAM-кэш в этой модели перевели на более быструю LPDDR3-память).
Существенно превзойденным во втором поколении 850 Evo, где применялась уже 48-слойная 3D NAND с кристаллами по 256 Гбит. В принципе, это и при прочих равных позволило бы преобразовать модельный ряд из «120 /250 / 500 / 1000 / 2000 ГБ» в «250 / 500 / 1000 / 2000 / 4000 ГБ», что и было сделано, но и прочими равными компания не ограничилась. Переведя, например, DRAM-кэш с LPDDR2 на LPDDR3 во всей линейке и т. п. Впрочем, в основном эти улучшения были уже косметическими и на производительности не слишком сказывались. Да это и не требовалось — отлаженный процесс производства позволял выпускать быструю и надежную память в то время, как конкуренты все еще делали только лишь первые шаги на этом пути.
А в конце прошлого года компания в очередной раз обновила 850 Evo — поскольку производство было уже переведено на 64-слойную память: более выгодную экономически. Принципиальных изменений между моделями нет, так что, как и предыдущий «апгрейд» этот прошел тихо: просто с определенного момента прекратились поставки накопителей старого образца и начали отгружаться исключительно новые. Какие-то отличия в части модификаций можно было бы и поискать — в частности, устройства емкостью от 1 ТБ начали использовать кристаллы по 512 Гбит, но в 250 и 500 ГБ для сохранения ТТХ на прежнем уровне так и осталось 256 Гбит. И кэш-память типа LPDDR3 из расчета «мегабайт на гигабайт емкости». Гарантия, естественно, осталась пятилетней — ограниченной TBW по формуле «75 ТБ на каждые 250 ГБ», т. е. 150 ТБ для нашего героя.
Главным для покупателя в общем-то во всех этих эволюционных изменениях было постоянное снижение цен. Остальные производители как правило добивались подобного эффекта выпуском новых моделей — Samsung предпочитал дорабатывать имеющуюся. В итоге 850 Evo в конце жизненного цикла это совсем не тот 850 Evo, что в начале. В 2015 году эти накопители не пытались по цене конкурировать с самыми дешевыми SSD на рынке — для этого Samsung иногда выпускал устройства на планарной TLC, типа 750 Evo или 650. В 2017 уже могли. При этом их скоростные характеристики как минимум не снижались — внедрение же TLC-памяти в продуктах других компаний, как мы уже не раз отмечали, сопровождалось обычно уменьшением производительности и надежности. Впрочем, три года — срок немалый: за это время «подтянулись» и производители контроллеров, и 3D NAND других поставщиков. На что Samsung заготовил даже не один, а два ответа.
Samsung V-NAND SSD 860 Evo 500 ГБ
Буквально через несколько месяцев после последнего «апгрейда» 850 Evo, компания выпустила новую линейку накопителей — на той же памяти. Практически на той же: в моделях от 1 ТБ не изменилось ничего, а модификация на 500 ГБ (которую мы сегодня и будем тестировать) получила аналогичные старшим кристаллы по 512 Гбит, вместо 256 Гбит. Таким образом, в каких-то условиях она может и отставать от предшественницы, что можно считать недостатком. Но вполне предсказуемым: 500 ГБ ныне уже никакого пиетета не вызывает, постепенно превращаясь в ходовой объем, по цене доступный уже многим пользователям. Для чего нужно снижать себестоимость — пусть даже ценой снижения некоторых скоростных характеристик.
Поскольку происходить это будет не всегда: новая серия накопителей получила и новый контроллер MJX. Он остался двухъядерным, зато тактовая частота выросла почти в два раза, что позволяет работать с более сложными алгоритмами. В частности, впервые за долгие годы (с самого появления в 840 Evo!) изменился SLC-кэш. Ранее он был статическим, теперь же при необходимости и наличии свободных ячеек новый контроллер может задействовать часть их в SLC-режиме, отложив «уплотнение» данных «на потом» — когда нагрузка уменьшится. На практике это означает, что, если 840 Evo и все версии 850 Evo на 500 ГБ могли на высокой скорости принять лишь 6 ГБ данных (статический SLC-кэш, размерами 3 ГБ на каждые 250 ГБ емкости), то в аналогичном 860 Evo предел увеличен уже до 22 ГБ. В принципе, последние контроллеры Silicon Motion (типа SM2258 или SM2259) могут записывать в SLC-режиме хоть все свободные ячейки (т. е. в пределе до трети полной емкости устройства), однако на практике достаточно и первого значения. Строго говоря, большинству пользователей, не увлекающемуся «охотой на попугаев» в бенчмарках, и 6 ГБ было более чем достаточно, однако раз уж конкуренты появились, надо как-то на это отвечать.
В принципе, и увеличение TBW для сохранения гарантийных условий можно тоже считать ответом на внешние воздействия. К примеру, появившиеся в прошлом году накопители серии Intel 545s имеют пятилетнюю гарантию, но ограниченную 72 ТБ на каждые 128 ГБ емкости. В 850 Evo, напомним, 75 ТБ на 250 ГБ, т. е. почти вдвое меньше. А в 860 Evo уже стало чуть больше, поскольку предыдущее значение удвоено: 150 ТБ на каждые 250 ГБ. В общем-то, компании никто не мешал сделать это и раньше. И не только потому, что накопители на это физически способны — просто при их использовании «по-назначению» в обычных персональных компьютерах объемы записи куда скромнее. Почему же производители их ограничивают? Чтобы немного защититься от достаточно популярного «нецелевого» использования — когда потребительские накопители с длинной гарантией устанавливают куда-нибудь в сервер: резервные копии есть, а «накроется» — поменяют. Естественно, это снижает продажи устройств соответствующего назначения, что их основным поставщикам (а Samsung к таковым относится в полной мере) абсолютно не нужно. Особенно с учетом наличия в ассортименте еще одного продукта…
Samsung V-NAND SSD 860 Pro 512 ГБ
Выпуск в 2018 году в новой линейке SATA-накопителя на базе MLC-памяти — решение, конечно, очень смелое, но вполне оправданное. Во всяком случае, если абстрагироваться только лишь от запросов сферических пользователей ПК в вакууме, а посмотреть на рынок шире. После чего мы сразу же увидим, например… разнообразные сетевые хранилища. NVMe-устройства там не нужны. До последнего времени считалось, что и SSD вообще не нужны, поскольку стоят они слишком дорого, а производительность определяется не ими. При использовании гигабитных сетевых адаптеров и небольшом количестве одновременных запросов это действительно так. А с каким-нибудь корпоративным хранилищем может сразу работать и десяток-другой пользователей, да и для соединения его с коммутатором вполне может использоваться канал на 10 Гбит/с — и вот тут уже винчестеры будут узким местом, что мы в процессе тестирования топовых NAS неоднократно наблюдали. А твердотельные накопители — не будут. Конечно, они обойдутся дороже, но если проблему можно решить за деньги, то это уже не проблема, а всего лишь расходы 🙂 В принципе, для такой работы подойдет и устройство на базе TLC-памяти, но MLC обеспечит более стабильные скоростные характеристики, да и ресурс тоже.
Более интересен в данном случае вопрос используемой памяти. Предыдущая MLC-линейка компании, а именно накопители серии 850 Pro использовали отбраковку от 3D TLC NAND — с чем связан и немного атипичный размер кристалла на старте: 86 Гбит. Слова «отбраковка», разумеется, пугаться не стоит: очевидно, что режим работы ячеек с четырьмя уровнями является куда более щадящим, нежели с восемью, а не только более быстрым. В новых же накопителях применяются кристаллы 64-слойной MLC 3D NAND, емкостью 256 Гбит. С TLC это никак не «бьется», так что можно предположить, что Samsung делает такую память специально. С другой стороны (что более вероятно с учетом того, что на дворе уже 2018 год) это может быть и побочным результатом работы по освоению выпуска кристаллов QLC 3D NAND емкостью 512 Гбит. Понятно, что выпуск качественной памяти такого типа очень сложен, но заниматься ей все равно нужно. А дальше срабатывает то, о чем было сказано выше — имея собственное производство (причем крупнейшее по объемам), от рыночной конъюнктуры Samsung не зависит. Если бы компании нужно было закупать память на открытом рынке, выпуск SSD на MLC был бы крайне рискованным мероприятием. При собственном производстве — нет. Особенно, если это действительно те чипы, которые неспособны хранить по четыре бита в ячейке — куда-то же их девать все равно нужно. А покупатели в итоге могут приобрести устройство с большим ресурсом — TBW для моделей на 1 ТБ и выше впору именовать PBW, поскольку счет там идет на петабайты, что для накопителей пользовательского назначения немного непривычно. Собственно, и для 512 ГБ речь идет о 600 ТБ на пятилетней срок гарантии — против 300 и 150 ТБ соответственно для 860 / 860 Evo. Но не дешево, разумеется. Но, по крайней мере, соответствующее предложение в ассортименте компании есть, чем можно и воспользоваться — при необходимости или просто при желании (и финансовой возможности).
Конкуренты
Для сравнения мы решили взять результаты двух накопителей: Intel 545s 512 ГБ и WD Blue 3D SSD 500 ГБ, благо оба актуальны на данный момент и используют сходную (в первом приближении) память. 545s с нашими героями также роднит пятилетняя гарантия, причем и ограничения ее условий сходны с 860 Evo (впрочем, кто на ком стоял вопрос сложный, как уже было сказано выше). У Blue 3D до последнего времени срок гарантии составлял три года, однако сейчас компания начала процедуру его увеличения до тех же пяти лет. Впрочем, и при «старых» условиях сравнивать Blue 3D с остальными участниками можно — это тоже накопитель от крупного и известного производителя, да и цены близкие.
Тестирование
Методика тестирования
Методика подробно описана в отдельной статье. Там можно познакомиться с используемым аппаратным и программным обеспечением.
Производительность в приложениях
Как и следовало ожидать, с точки зрения тестов высокого уровня все примерно одинаковы. Но не совсем — если вооружиться лупой, можно разглядеть, что тройка SSD Samsung немного быстрее, чем предложения Intel и WD. А распределение мест внутри нее тоже предсказуемо: самым быстрым оказывается 860 Pro, а самым медленным — 860 Evo. Однако чтобы это заметить, нужна уже не лупа, а микроскоп 🙂
Что же касается потенциальных возможностей накопителей, то в целом картина не изменилась — разве что отрыв от «преследователей» увеличился. В итоге современные версии Evo — первые попавшие к нам в руки SATA-накопители на TLC-памяти, способные в этом тесте «перевалить» за 300 МБ/с. Впрочем, и безотносительно ее типа ранее у нас в лаборатории побывало лишь одно способное на это устройство — Toshiba Q300 Pro 256 ГБ. Таким образом, единственное, что несколько омрачает значимость события — потенциальность данного результата.
Предыдущая версия тестового пакета демонстрирует нам аналогичную картину. В целом для накопителей Samsung скорее благоприятную, чем наоборот. Т. е. понятно, что если разница в скорости заметна только в тестах, ей можно и пренебречь — но почему бы при прочих равных не выбрать более быстрый накопитель. При неравных — уже выбирать нужно: что важнее.
Последовательные операции
С этими сценариями при ограниченной области данных давно все ясно — ограничителем для SATA-накопителей является собственно интерфейс SATA. В т. ч. и при записи, поскольку SLC-кэширование давно уже стало стандартным поведением накопителей на базе TLC, а для MLC-памяти никакие ухищрения и сами по себе не нужны. Поэтому в обновленной тестовой методике мы задачу усложним 🙂 А сегодня просто отложим окончательный вердикт до более серьезных нагрузок.
Случайный доступ
Контроллеры Samsung давно уже с такими нагрузками справляются легко и непринужденно, 3D NAND собственного производства медлительностью тоже никогда не отличалась — в итоге и результаты высокие. Разве что проигрыш 860 Evo предшественнику той же емкости может кого-то расстроить, однако ничего неожиданного в нем нет — увеличение емкости кристаллов и уменьшение их количества так и должно было сработать. В конце-концов, запас производительности был достаточным для того, чтобы даже после ее снижения все равно опережать накопители того же класса от других производителей, а «внутрифирменная» конкуренция все равно не планируется: по мере исчерпания старых запасов, 850 Evo просто исчезнет с прилавков.
Работа с большими файлами
Чтение данных как неоднократно было сказано проблемой для памяти любого типа давно не является (вот контроллеры могут производительность ограничивать), так что все дружно уперлись в интерфейс на сопоставимом уровне.
Запись заведомо «вылетает» за емкость SLC-кэша, несмотря на увеличение его емкости в 860 Evo, а производительность собственно массива памяти за счет снижения параллелизма снизилась. Соответственно, если 850 Evo выдавал максимум для SATA600, то его сменщик этого не может. И даже отстает от конкурентов, использующих в моделях такой емкости кристаллы по 256 Гбит, «придерживая» более крупные для больших емкостей.
Еще один сложный (до сих пор) сценарий для TLC-накопителей — запись одновременно с чтением. Впрочем, 860 Pro по понятным причинам эта проблема не касается — использование двухбитных ячеек в паре с высокопроизводительным контроллером позволяет устройству демонстрировать максимальную доступную для SATA600 производительность. А вот накопители семейства Evo заметно медленнее — особенно при (псевдо)случайном доступе. Впрочем, несложно также заметить, что обеспечить заметно более высокую производительность можно разве что за счет хитростей, типа «бесконечного» SLC-кэша накопителей на базе последних контроллеров Silicon Motion, но не при использовании обычного статического кэширования. Да и «необычного» как в 860 Evo тоже — справляется оно только при меньших объемах информации. Однако все это становится незначимым, если вспомнить, что большинстве твердотельных накопителей дела обстоят не лучше 🙂 Но, при этом, такого выбора, как Samsung (обновивший MLC-линейку — пусть и по соответствующей цене), их производители покупателю не оставляют.
Рейтинги
Как уже было сказано выше, производительность 860 Evo можно было и снизить — все равно «в попугаях» он длиннее основных конкурентов. А если нужно еще больше «пернатых», охотиться за ними принято в других местах — снабженных другими интерфейсами, во всяком случае. Последний давно уже многое определяет — почему мы сразу и написали, что 860 Pro это в первую очередь не «про скорость». Во всяком случае, не про ту, которая интересна индивидуальному пользователю ПК.
Но, естественно, представители этой линейки отлично справятся и с такими нагрузками — просто для этого они избыточны. Равно как и гарантийный ресурс тоже совсем из другой области, но особо мнительным покупателям может пригодиться. А с точки зрения производительности и Evo вполне достаточно. В т. ч. и новой серии — где таковая немного снизилась, но все равно осталась заметно более высокой, чем у большинства конкурирующих разработок. Во всяком случае, в пределах класса — понятно, что смена интерфейса позволяет убрать некоторые узкие места (как минимум, в плане низкоуровневых характеристик), но это отдельная история.
Цены
В таблице приведены средние розничные цены протестированных сегодня SSD-накопителей, актуальные на момент чтения вами данной статьи:
Итого
В принципе, на какие-либо открытия мы не рассчитывали: Samsung, как уже было сказано в начале, имеет солидный опыт как разработки твердотельных накопителей в целом, так и использования (и производства, что особенно важно) 3D NAND TLC. По сути, компания просто обогнала конкурентов «на повороте»: о необходимости перехода на 3D NAND говорили все, но вот сам переход у большинства проходил с большими сложностями. Полученной форой в пару лет в Samsung распорядились правильным образом, в результате чего сейчас решения компании на базе TLC-памяти являются одними из лучших на рынке. И очень важно, что к настоящему моменту они даже могут считаться недорогими: из «среднего» класса линейка Evo постепенно спустилась в бюджетный, не растеряв попутно своих преимуществ.
При этом высокие объемы производства позволяют компании не забрасывать полностью MLC NAND. Конечно, эта память уже превратилась в нишевое решение, но ниша у нее однозначно есть. А при дальнейшем снижении цены она только расширится. И конечно, 860 Pro будет относительно популярен и у обычных пользователей, поскольку некоторые из них до сих пор настороженно относятся к TLC-памяти. Понятно, что за психологический комфорт им придется доплатить… Но с другой стороны, а за что еще стоит платить, как не за комфорт? 🙂
Таково положение на день сегодняшний. Что будет завтра — неизвестно. На полупроводниковом рынке безусловно нужно бежать, чтобы просто оставаться на месте, а чтобы куда-то попасть — бежать нужно вдвое быстрее. В скором будущем нас ожидают новые «повороты» в виде внедрения QLC NAND, а то и вовсе «не-NAND»-памяти. И кто из производителей справится с переходом в наилучшей степени, покажет только время. Пока же положению Samsung на рынке SSD никто серьезно не угрожает, и новые линейки накопителей целиком и полностью это подтверждают.
www.ixbt.com
Обзор и тестирование SSD Samsung 850 EVO 250ГБ
Начнем с предисловия. 3 месяца назад я задумался над покупкой SSD для ноутбука, ибо меня скорость работы собственного «ноута» не устраивала. Конечно же, самым простым вариантом апгрейда ноутбука был SSD, который должен был работать как системный диск, а винчестер использоваться под файлопомойку.
Спустя некоторое количество времени проведенного за прошариванием форумов и магазинов, мой выбор пал на твердотельный накопитель от компании Samsung, а именно на модель 850 EVO на 250 гигабайт. Спросите почему? На мой взгляд, этот девайс предлагает пользователю лучшее сочетание производительности, надёжности и цены.
Немного отклонюсь от темы, дело в том что приобретя данный девайс, по стечению обстоятельств мне его привезли как раз на работу одновременно с твердотельным накопителем
Kingston SSDNow V300 240ГБ и понятное дело мы устроили небольшой «баттл» между накопителями. К сожалению, все проводилось второпях и результаты забегов я сохранить не успел. Но одно могу сказать точно — 850 EVO превзошел V300, и это при том, что 850 EVO дешевле.
Ну, в общем, хватит не по теме, ко мне сей девайс приехал в такой вот упаковке, смотрим:
А вот что внутри:
Как видно, сам девайс надёжно закреплен внутри упаковки, с обратной стороны которой имеется конверт с диском и документами. В общем, стандартный ничем не выдающийся комплект поставки.
А теперь рассмотрим аппарат поближе, к сожалению, в спешке я забыл запечатлеть его на камеру, поэтому придётся довольствоваться взятыми с ресурса onliner.by (не сочтите за рекламу :D) фото:
Красив не правда ли?
Ну ладно хватит созерцания, перейдем непосредственно к характеристикам:
| Формфактор | 2,5″ |
| Интерфейс | SATA 6Gbps |
| Буфер | 512 МБ |
| Тип микросхем Flash | 3D V-NAND |
| Контроллер | Samsung MGX |
| Скорость последовательного чтения | 540 МБ/с |
| Скорость последовательной записи | 520 МБ/с |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 3.7 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.004 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Количество хостовых записей для этого SSD установлено на 75ТБ без деградации самого накопителя. По началу это казалось не так уж много, но в процессе я понял, что мне этого лимита хватит лет на ~5 минимум.
А теперь глянем, что же нам покажет фирменное П.О. для управления SSD от Samsung, речь о Magician, смотрим ниже:
Как видно, накопитель пропустил через себя около 1 терабайта, то есть он во всю используется, это вы сможете увидеть и на других скриншотах. Подключен он к SATA 3 (6Гб/с).
Кстати насчет обновления микропрограммы, которую он упорно не хочет обновлять, я не знаю с чем это связано, может быть это связано с моими кривыми руками 😀
CrystalDiskInfo показывает нам вот что:
Собственно, что я и говорил, диск вовсю используется, а остальное пояснять, думаю, не требуется — все и так довольно наглядно.
Ну-с, собственно, преступим к самим тестам.
Конфигурация моего ноутбука:
- Ноутбук — HP Pavilion dv7 6101er
- Процессор/APU — AMD A6-3410 MX (APU) 1.6ГГц
- Оперативная память — 2ГБ+4ГБ 1333МГц
- Видеокарта — AMD Radeon HD 6750M
- Накопитель — Samsung 850 EVO (версия микропрограммы EMT01B6Q)
- ОС — Windows 7 Ultimate
- Софт — Samsung Magician, CrystalDiskMark 5, ATTO Disk Benchmark и HD Tune Pro
Начнем с Samsung Magician:
Далее CrystalDiskMark 5:
Следом ATTO Disk Benchmark:
Ну и, наконец, HD Tune Pro:
Как видно по тестам, девайс выступает очень достойно, учитывая тот факт, что ноутбук у меня далеко не шустрый, а так же то, что в процессе тестирования был открыт Google Chrome с 10 вкладками.
Выводы.
Вообще, что я могу сказать в конце всего этого — накопитель очень хорош для своей цены, шустрый, надежный (хотя это ещё предстоит проверить, ибо для него 1ТБ это пыль,но я уверен, что он будет надежен как швейцарские часы). Недостатков я в нём не обнаружил. Ну и, собственно, сильно рад что остановил свой выбор именно на нём.
Я ему даю оценку 5 из 5.
| < Компьютерный стол своими руками — лучше не придумаешь! | Знакомство с Миром Джойстиков, выбираем игровой контроллер для ПК > |
|---|
Добавить комментарий
www.u-sm.ru
Монополия на скорость. Обзор твердотельных накопителей Samsung 850 EVO разных форм-факторов
Технические характеристики и особенности конструкции
«Эксперименты» с трехбитной памятью TLC на покупателях южнокорейский производитель начал еще в 2013 году. Прошлое поколение — 840 EVO — я считаю удачным, хотя о надежности этих SSD ходило много споров, ведь количество циклов перезаписи ячеек у TLC меньше, чем у MLC/SLC. По скоростным характеристикам такой тип памяти тоже уступает, так как для хранения трех бит информации задействуется восемь уровней напряжения, на снятие которых требуется больше времени. У MLC — вдвое меньше. При этом увеличивается износ ячейки. С внедрением новых технологических норм проблема лишь усугубляется, так как уменьшение размера ячейки (утоньшение слоя диэлектрика) приводит к утечке заряда с плавающего затвора.
Применение трехмерной структуры 3D V-NAND решает обе проблемы. Во-первых, послойная упаковка TLC занимает меньше места, чем, например, планарная MLC. Итог: нет смысла гнаться за уменьшением техпроцесса. Память в линейках 850 PRO и 850 EVO произведена по 40-нанометровым «доисторическим» нормам, что серьезно увеличивает ее надежность. В Samsung заявляют, что вероятность возникновения ошибок при считывании данных с TLC V-NAND в 10 раз ниже, чем у «обыкновенной» планарной TLC. Слова подкрепляются делом: на все накопители серии 850 EVO распространяется 5-летняя гарантия. Конкуренты предлагают в основном 3 года.
Во-вторых, в TLC V-NAND сокращено количество импульсов, подаваемых на управляющих затвор ячеек. Увеличена производительность. В итоге линейка 850 EVO несильно уступает 850 PRO в плане быстродействия. При этом накопители разного объема имеют приблизительно одинаковую производительность. Серьезного перекоса (согласно характеристикам) между моделями не наблюдается.
В обзор попали сразу два SSD с одинаковым объемом 500 Гбайт. Накопители с интерфейсами SATA 3.0 и M.2 обладают схожими техническими характеристиками. Конечно же, везде используется 40-нанометровая память TLC V-NAND с емкостью кристаллов 128 Гбит. Серия 850 EVO с интерфейсом SATA 3.0 насчитывает четыре модели. Устройство объемом 1 Тбайт несколько выделяется из «толпы», так как базируется на более производительном контроллере MEX. Этот же процессор используется в «твердотельниках» 850 PRO. Накопителей с интерфейсом M.2 всего три. Во всех случаях используется печатная плата формата 2280 с двумя ключами типа «B» и «М».
www.ferra.ru